低阻型四探針檢測儀資料下載
儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法 （2）范圍：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，分辨率為10-5歐姆·厘米 方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，Z小分辨率為10-4歐姆/□ （3）可測量材料：半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等 可準確測量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥20㎜ 可測量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥8㎜ （4）測量方式：平面測量。 （5）電壓表：雙數(shù)字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化 A.量程0~19.999 mV B.基本誤差±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度) C.靈敏度：1uV D輸入阻抗﹥1000MΩ E 4 1/2位數(shù)字顯示，0～19999 （6）恒流源： A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續(xù)可調(diào)，有交流電源供給 B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔 C.恒流源精度：各檔均≤±0.05% （7）四探針測試探頭 A.探頭間距1.59㎜ B.探針機械游率：±0.3% C.探針直徑0.8㎜ D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐姆。 （8）測試架：（選配） 手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架探頭上下由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可上下移動距離：120mm，測試臺面200x200(mm)。 （9）精度 電器精度：1-1000歐姆≤0.3 % 整機測量精度：1-100歐姆·厘米≤3% （10）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W 注：如果測金屬粉末電阻率必把樣品壓成塊或片才能測
蘇經(jīng)理
18910534055
18910554055
